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IHW20N120R3库存信息
更新时间：2021-10-24 09:30:00- 型号
- 品牌
- 数量
- 批号
- 封装
- 备注
- 询价
- IHW20N120R3
- INFINEON
- 23897
- 10+
- TO-3P
- 进口原装现货
- 询价
IHW20N120R3中文资料
功能描述:IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW20N120R3 PDF资料
| 型号： | IHW20N120R3 | 前往资料站下载： | 下载 |
| 原厂全称： | Infineon Technologies | 原厂简称： | INFINEON |
| 页数： | 12 | 文件大小： | 781 /kb |
| 说明： | Reverse conducting IGBT with monolithic body diode | ||
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