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IHW20N120R3库存信息

更新时间:2021-10-24 09:30:00
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IHW20N120R3中文资料

功能描述:IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IHW20N120R3 PDF资料

型号: IHW20N120R3 前往资料站下载: 下载
原厂全称: Infineon Technologies 原厂简称: INFINEON
页数: 12 文件大小: 781 /kb
说明: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode